磁阻效應(yīng)（magnetoresistance effect）

        半導(dǎo)體材料的電阻率隨著磁場強(qiáng)度的增強(qiáng)而加大,這種現(xiàn)象稱磁阻效應(yīng)。磁阻的產(chǎn)生是由于有磁場時(shí)載流子的運(yùn)動發(fā)生偏轉(zhuǎn),它從一個(gè)電極到另一電極所走的路程比起沒有磁場時(shí)要長,所以電阻就增大。實(shí)際上,磁阻與載流子在材料中散射(碰撞)的細(xì)致規(guī)律和具體的能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)。通常載流子遷移率隨磁場強(qiáng)度的增大而減小,于是電阻率就增加。在弱磁場下,材料電阻相對變化率正比于磁場強(qiáng)度B的平方。在強(qiáng)磁場下,材料電阻相對變化率與 B成正比。

磁阻位移傳感器（magnetoresistance displacement sen-sor）

        用磁阻元件檢測位移的傳感器。檢測位移的方法有兩種。第一種方法是在有梯度的磁場中設(shè)置磁阻元件,元件由于位置不同而承受的磁場有差異,故電阻值不同，根據(jù)電阻值變化便可檢測出位移。第二種方法,兩個(gè)磁阻元件僅各自的一部分受磁場作用,若移動永久磁鐵,則一個(gè)磁阻元件所受磁場減少,電阻值隨之減少，而另一個(gè)磁阻元件所受磁場增加,電阻值隨之增加,兩個(gè)磁阻元件差動地工作,根據(jù)永久磁鐵移動而產(chǎn)生的模擬輸出即可確定位移。第二種方法已廣泛應(yīng)用。磁阻位移傳感器的特點(diǎn)是非接觸檢測位移。